Нов тип памет !

В университет в щата Аризона е създаден нов тип памет, чийто принцип на работа е изграден на преместването на атомите.Предмет на изследванията станала технология, известна под името “програмируеми метализирани клетки” (programmable metallisation cell, PMC). По оценка на изследователите, новата памет може да бъде до 1000 пъти по ефективна енергийно от флаш-паметта и ще може да се използва в USB-носителите, цифровите камери, плеърите и ноутбуците. Друго достойнство на новата памет ще бъде ниската й цена – това се обяснява с факта, че се използват материали, като тези в полупроводниковата промишленост.Ключов елемент в клетките на новата памет е групата медни атоми. В едно от състоянията те са подредени в линия, оформяйки проводник, свързващ два електрода – съпротивлението е минимално. В друго състояние атомите могат да са хаотично разположени, а съпротивлението да е максимално. Преходът между двете състояния се осигурява с помощта на напрежение, приложено към електродите. Преходът е напълно обратим, т.е. всяка клетка може многократно да променя състоянието си. При отсъствие на източник на захранване и в състояние на съхраняване на информация, паметта е напълно енергонезависима.Към новата разработка вече са проявили интерес множество крупни производители, сред които Samsung, Sony и IBM, а Micron Technology и Qimonda дори са получили лиценз за използване на РМС в своите продукти.Първите масови устройства, използващи новия тип памет, се очаква да се появят в близката половин година.