Със случайното откриване на условно нареченият „черен Силиций“ физици от университета Харвард проправят технологичният път към сериозен напредък в цифровата фотография, слънчевите клетки и нощното виждане. Черният Силиций е революционен полупроводников материал, чието основно предимство е високата мучувствителност към светлина – 100 до 500 пъти повече от използваните до сега субстанции. За да създаде този специален тип Силиций, Ерик Мазър, физик в университета Харвард използва изключително мощен лазер, облъчвайки обикновена силициева „вафла“ което довежда до неочаквания но доста полезен ефект. Силата на лазерният лъч е съизмерима с тази от слънчевите лъчи които достигат цялата земна повърхност в даден моменто от време. За да изгради схема на облъченият силиций, Мазър използва Серен Хексафлуорид съединение масово използвано в производството на полупроводникови елементи. Интригуващото в случая е, че както всички велики открития, и това е направено нецеленасочено. Разработката всъщност е продължение на доста стар, университетски проект, който може да се окаже пътя към ново бъдеще във фотоелектронната индустрия.
Discussion about this post