Проектът създаден от IBM и Georgia Institute of Technology, стартиран специално за изследване на SiGe (силициево-германиеви)нанотехнологии, даде резултат. Скоро, от IBM съобщиха, че могат да създадат чип с таткова честота над 500 Ghz, чрез криогенно замразяване. При намаляване на температурата, скоростта на чиповете нараства значително, а с течен хелий учените са достигнали до -268,5 градуса. Прототипът е работил на честота от 350 Ghz при стайна температура. Според специалистите от IBM, силициево-германиевите транзистори могат да достигнат до 1 Thz при стайна температура.
Discussion about this post