Nanya Technology ще представи новия DDR3 DIMM през втората половина на 2008 година

Производителят на DRAM Nanya Technology планира да представи новия DDR3 DIMM през втората половина на тази година. Това заяви вицепрезиденът и говорител на компанията Пей Лин Пай. От Nanya обявиха, че не очакват DDR3 да донесе високи печалби преди 2008 година. Тази година чиповете DDR3 DRAM ще бъдат произвеждани чрез 90nm технология. След като започне по-масово производство на DDR3 ще започнат да го правят чрез 70nm манифактурен процес. Според първите изчисления това няма да стане преди 2008 година. DDR3 DRAM чиповете ще могат да предават данни от 800Mbps (DDR3-800) до 1600Mbps (DDR3-1600). DDR3 чиповете ще бъдат предоставени в два пакета, 78-ball FBGA (с x4 и x8 компонента) и 96-ball FBGA (с x16 компонента). Наскоро, Nanya представи 1GB DDR3 чип unbuffered DIMM (see photo below), designed to utilize 512-Mbit (128×4) DDR3-1066 chips and provide a maximum bandwidth of about 8.5GB/s (PC3-8500).