Вече ви информирахме, че Samsung започнаха масовото производство на първите 10-нанометрови процесори. Въпросните чипове са базирани на уникална FinFET технология. Припомняме ви, че тя се използва и в създаването на новия Qualcomm Snapdragon 835, с който ще работят повечето смартфони от висок клас през 2017г. Според корейските медии Samsung ще станат обект на ново съдебно дело свързано с FinFET технологията. Данните разкриват, че компанията използва патент на Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), предаде PhoneArena.
Представителите на института са на мнение, че именно те са разработили 10-нанометровия FinFET производствен процес, който сега се използва от процесорите на Samsung. KAIST обвиняват корейския гигант, че е откраднал от тях тази иновативна технология. От института твърдят, че всичко започва когато професора на Seoul National University, Лий Йонг-хо e поканен от компанията да демонстрира как работи технологията. Лий Йонг-хо e дългогодишен партньор на KAIST. Samsung са копирали този метод и благодарение на финансовите си възможности са намалили значително разходите и времето за разработка.
От KAIST са на мнение, че корейският производител продължава да копира изобретението на Лий Йонг-хо и да го използват в своите процесори без разрешение или подходяща компенсация. Intel е друга водеща компания в индустрията, която произвежда процесори с FinFET технологията. За разлика от Samsung, обаче те са постигнали споразумение с KAIST и са получили необходимия лиценз, за да я използват. В заключение ще отбележим, че KAIST възнамеряват да започнат съдебни дела срещу Qualcomm и TSMC.
Вижте как Samsung искат да произведат първия 7-нанометров процесор за смартфони в света
Discussion about this post