Samsung Electronics разработиха първият all-DRAM пакет памет използвайки ‘through silicon via' (TSV) технология, която скоро ще въплати в памети които са по-бързи по-малки и използват по-малко енергия. Заготовките при тази технология съдържат 512Мbit DDR2 DRAM чипове които са комбинирани с 2Gbit памети с висока плътност на записа. Използвайки 2Gb DRAM произведени по TSV технология, Samsung може да разработи 4GB DIMM базирани на напредналата WSP технология за първи път. Собствената технология на Samsung WSP не само ще намали крайния размер на паметите но и ше позволи на чиповете да работят по-бързо и да консумират по-малко енергия.
Discussion about this post