Водещите производители на хардуер непрестанно експериментират с различни идеи, които да им позволят да интегрират повече компоненти на по-малко пространство. Samsung са един от лидерите в този сегмент, които инвестират внушителни средства, за да оптимизират своите технологии и работата на фабриките си. Инженерите на компанията вече работят над по-добър метод за производство на DRAM памет, който им позволява да разположат 12 модула на пространство, което е еквивалента на осем от тях.
За да постигнат този ефект специалистите на Samsung откриват как да премахнат необходимите кабели за функционирането на TSV модулите, съобщава SlashGear. Oбикновено тези методи са по-сложни и по-скъпи. Въпреки това Samsung са открили как да оптимизират технологията и да я направят по-атрактивна за използване от бъдещите им продукти. Според официалните данни от корейският производител са използвали над 60 хил, миниатюрни дупки, за да намалят размерите на новата си DRAM памет.
Крайният резултат е, че компанията ще може да увеличи осезаемо капацитета на своите модули без това да влияе на размерите. Това е особено подходящо за приложения в смартфоните. Следващата стъпка е да се премине към производството на 24GB DRAM памет за мобилни устройства с 12-слойната 3D TSV технология. Подобни нововъведения са важни, тъй като ще позволят на Samsung да предложат още по-добър хардуер на своите потребители.
Още от Digital: Samsung ще ускорят производството на 16-нанометрова DRAM памет до 2020г.
Discussion about this post