По-рано тази седмица Qualcomm представи своя флагмански процесор за смартфони – Snapdragon 8 Gen 3. Той е съвместим с LPDDR5X DRAM и LPDDR5T DRAM. Докато Samsung винаги е първи при паметите, южнокорейският ѝ конкурент SK Hynix представи LPDDR5T RAM, която е по-бърза от LPDDR5X RAM на Samsung и вече е готова за следващото поколение флагмански смартфони.
SK Hynix обяви, че нейните LPDDR5T DRAM чипове са завършили процеса на проверка за съвместимост със Snapdragon 8 Gen 3. Тези чипове бяха обявени още през януари 2023 г. и вече са готови за смартфони от висок клас.
Те ще се предлагат в 16GB вариант, като предлагат максимална скорост на предаване на данни от 9,6 Gbps, което е с около 12,5% по-бързо от LPDDR5X DRAM (8,5 Gbps). SK Hynix също така твърди, че новите чипове памет са най-енергийно ефективните в класа си.
SK Hynix използва HKMG (High K Metal Gate) процес, за да подобри производителността и ефективността на своите LPDDR5T RAM чипове. Тези чипове работят при 10% по-ниско напрежение от LPDDR5X. Компанията очаква новите ѝ чипове да получат значителен пазарен дял преди пускането на новия стандарт LPDDR6 DRAM.