Хардуерните компоненти на смартфоните и любимите ни устройства са базирани на различни производствени технологии. Популярни стандарти, които използваме масово днес е въпрос на време да бъдат наследени от по-добри алтернативи. Така например нови разработки като MRAM, FERAM и ReRAM крият обещаващ потенциал да заместят технологии като SRAM, NOR flash и DRAM.
Впечатляваща иновация е постоянната памет, която мнозина прогнозират, че ще допринесе за значителна промяна в парадигмата на изчислителните машини. В дългосрочен план това е иновацията, която ще остави в историята DRAM паметта. Все пак ще е необходимо време преди технологията да е достатъчно добра за масовия потребител.
Специалисти от Асоциация на индустрията за мрежи за съхранение (SNIA) смятат, че навлизането на постоянната памет ще стане най-рано преди 2030г. Дотогава производителите ще имат достатъчно време да отстранят някои недостатъци и да предложат първите продукти с технологията. Още по-интересното е, че постоянната памет вече достига скоростите на съвременната DRAM, информира TechSpot.
Предимствата на постоянаната памет бяха демонстрирани в хафниевите фероелектрици създадени от SK Hynix и Micron. Трудно е да се прецени как ще се развият нововъзникващите технологии в следващите години, но тази иновация има потенциал да замести DRAM в компютрите и сървърите. Голямо предизвикателство е да се премине от NOR Flash и SRAM интерфейсите към DDR.
Както името подсказва постоянната памет може да запази съдържание дори без захранване, което дава значително предимство в определени приложения.