Екип от британски учени е разработил метод, използващ нискотемпературни ултровиолетови лампи, за производството на силиконов диоксид – един от най-важните компоненти на всички чипове. В момента, за изработката на този материал, учените използват пещи, достигащи температура от 1000 градуса по Целзий. Новата технология позволява процесът да се извърши на стайна температура, като с това се пестят много енергия и ресурси. Проф. Ян Бойд от екипа смята, че намаляването на разхода на енергия за производството на чипове ще се отрази на цената на продукта, като в същото време производството става по-екологично. Микрочиповете са съставени от сложни електрически вериги, съставени от различни силиконови компоненти като транзистори. Всеки чип се нуждае от голям брой транзистори, понякога стотици милиони. Колкото повече такива компоненти има в микрочипа, толкова повече калкулации може той да прави в секунда. Транзисторите са комбинация от проводников материал и изолатор. Изолаторът се произвежда от силиконов дикосид. Това вещество се формира много бавно на стайна температура. За ускоряване на процеса, производителите нагряват силикона до 900-1200 градуса по Целзий. Новата технология използва лампа, излъчваща светлина от ултравиолетовият спектър с дължина на вълната 126 нанометра. Лампата е дълга 30 сантиметра и прилича на обикновена флуоресцентна лампа, но съдържа в себе си газ аргон. На тази светлина молекулите на кислорода се разпадат на отделни атоми. По този начин се получават един атом с огромна енергия и един с много по-малка енергия. Именно „енергийните“ атоми са най-важни за производството на силиконов диоксид. От екипът, разработил новата технология заявиха, че вече водят преговори с компании-производители на микрочипове за използването й. Те смятат, че тя може да бъде полезна и в произвоството на други продукти.
Discussion about this post