Корейският производител се похвали с поредната впечатляваща хардуерна иновация. Този път Samsung обявиха създаването на първата по-рода си 12-слойна HBM3E DRAM. Модулите се отличават с висока честота лента и безпрецедентния капацитет от 36GB с технологията. Според официалните данни HBM3E 12H DRAM осигурява максимална скорост от 1,280GB/s.
По този начин новата памет на Samsung увеличава честотната лента и капацитета с 50%, в сравнение с 8-слойните HBM3. Припомняме ви, че HBM се състоят от множество DRAM модули, които са подредени вертикално. От Samsung са успяли да подредят 12 DRAM компонента с капацитет от 24 гигабита (Gb) или oбщо 3 гигабайта памет, информира SamMobile.
Производителите като Samsung, SK Hynix и Micron се надпреварват да създават RAM памет с повече слоеве, като ограничават височината им. Така търсят оптимално съчетание между максимално тънки чипове и голям капацитет.
Компаниите планират да увеличат производството си на HBM , след като спадът на пазара на чипове с памет очевидно е към своя край. Така ще отговорят на голямото търсене на продукти AI, което увеличи търсенето на графични процесори, съобщава ZDNet.
От Samsung са използвали усъвършенствано непроводимо фолио с термична компресия (TC NCF), за да направи HBM3E с 12 слоя да е със същия размер както 8-слойните HBM3. Масовото производство на новите модули започва през втората половина на годината, когато се очакват доставките до партньорите на Samsung.